Salut a tous, voila deux fois que j'achete deux DDR 400 pc 3200 1 GO differentes pour mon pc et que je n'arrive pas a les faire fonctionner. ma
carte mère est bien prevue pour 2GO ( 2 x 1GO) actuelement j'ai ça :
Champ Valeur
Propriétés de la carte mèrePropriétés de la carte mère
Identifiant de la carte mère 62-140-0000010-00101111-100404-INTEL$P4ICB140_P4 COMBO BIOS P1.40
Nom de la carte mère ASRock P4 Combo
Propriétés du bus principal
Type du bus Intel NetBurst
Largeur du bus 64 bits
Horloge réelle 200 MHz (QDR)
Horloge effective 800 MHz
Bande passante 6400 Mo/s
Propriétés du bus
mémoire Type du bus DDR SDRAM
Largeur du bus 64 bits
Horloge réelle 133 MHz (DDR)
Horloge effective 267 MHz
Bande passante 2133 Mo/s
Propriétés du bus chipset
Type du bus Intel Hub Interface
Largeur du bus 8 bits
Horloge réelle 67 MHz (QDR)
Horloge effective 267 MHz
Bande passante 267 Mo/s
Informations physiques sur la carte mère
Sockets/slots
processeur 1 Socket 478 + 1 Socket 775
Slots d'expansion 4 PCI, 1 AGP
Slots RAM 2 DDR DIMM
Périphériques intégrés Audio, LAN
Forme ATX
Taille de la carte mère 240 mm x 300 mm
Chipset de la carte mère i848P
Autres fonctionnalités Hybrid Booster
Fabricant de la carte mère
Nom de l'entreprise ASRock Inc.
Information sur le produit
http://www.asrock.com/product/index.htmTélécharger le BIOS
http://www.asrock.com/support/index_BIOS.htmChamp Valeur
Propriétés du module mémoirePropriétés du module
mémoire Nom du module Team Group
Numéro de série Aucun(e)
Date de fabrication Semaine 16 / 2006
Taille du module 512 Mo (2 ranks, 4 banks)
Type du module Unbuffered
Type de
mémoire DDR SDRAM
Vitesse de
mémoire PC3200 (200 MHz)
Largeur du module 64 bit
Voltage du module SSTL 2.5
Méthode de détection d'erreurs Aucun(e)
Taux de rafraîchissement Réduit (7.8 us), Self-Refresh
Performances
mémoire @ 200 MHz 2.5-4-4-8 (CL-RCD-RP-RAS)
Fonctionnalités du module
mémoire Early RAS# Precharge Non géré
Auto-Precharge Non géré
Precharge All Non géré
Write1/Read Burst Non géré
Buffered Address/Control Inputs Non géré
Registered Address/Control Inputs Non géré
On-Card PLL (Clock) Non géré
Buffered DQMB Inputs Non géré
Registered DQMB Inputs Non géré
Differential Clock Input Géré
Redundant Row Address Non géré
Champ Valeur
Propriétés du module mémoire Propriétés du module
mémoire Nom du module Samsung M3 68L6523DUS-CCC
Numéro de série 0603144Ah
Taille du module 512 Mo (1 rank, 4 banks)
Type du module Unbuffered
Type de
mémoire DDR SDRAM
Vitesse de
mémoire PC3200 (200 MHz)
Largeur du module 64 bit
Voltage du module SSTL 2.5
Méthode de détection d'erreurs Aucun(e)
Taux de rafraîchissement Réduit (7.8 us), Self-Refresh
Performances
mémoire @ 200 MHz 3.0-3-3-8 (CL-RCD-RP-RAS)
@ 166 MHz 2.5-3-3-7 (CL-RCD-RP-RAS)
Fonctionnalités du module
mémoire Early RAS# Precharge Non géré
Auto-Precharge Non géré
Precharge All Non géré
Write1/Read Burst Non géré
Buffered Address/Control Inputs Non géré
Registered Address/Control Inputs Non géré
On-Card PLL (Clock) Non géré
Buffered DQMB Inputs Non géré
Registered DQMB Inputs Non géré
Differential Clock Input Géré
Redundant Row Address Non géré
Fabricant du module
mémoire Nom de l'entreprise Samsung
Information sur le produit
http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/DRAM/index.htmavec des barettes 1 GO ecran noir !